- Samsung beginnt mit der kommerziellen Auslieferung von HBM4, da sich der Wettbewerb um KI-Speicher verschärft
- HBM4 erreicht Geschwindigkeiten von 11,7 Gbit/s und ermöglicht gleichzeitig eine höhere Bandbreite und Effizienzsteigerungen für Rechenzentren
- Samsung skaliert seine Produktionspläne mit einer Roadmap, die sich auf HBM4E und kundenspezifische Speichervarianten ausdehnt
Samsung Nach eigenen Angaben hat das Unternehmen nicht nur mit der Massenproduktion von HBM4-Speichern begonnen, sondern auch die ersten kommerziellen Einheiten an Kunden ausgeliefert und behauptet damit eine Branchenneuheit für die neue Speichergeneration mit hoher Bandbreite.
HBM4 basiert auf dem 10-nm-DRAM-Prozess der sechsten Generation von Samsung und verwendet einen 4-nm-Logik-Basischip, der dem südkoreanischen Speicherriesen Berichten zufolge dabei geholfen hat, stabile Erträge ohne Neukonstruktionen zu erzielen, als die Produktion hochgefahren wurde.
Dies ist eine technische Behauptung, die wahrscheinlich getestet wird, sobald groß angelegte Bereitstellungen beginnen und unabhängige Leistungsergebnisse vorliegen.
Bis zu 48 GB Kapazität
Der neue Speicher erreicht eine konstante Übertragungsgeschwindigkeit von 11,7 Gbit/s, mit einem Headroom von bis zu 13 Gbit/s in bestimmten Konfigurationen.
Samsung vergleicht dies mit einem branchenweiten Basiswert von 8 Gbit/s und beziffert HBM3E auf 9,6 Gbit/s. Die Gesamtspeicherbandbreite steigt auf 3,3 TB/s pro Stapel, was etwa 2,7-mal höher ist als bei der früheren Generation.
Die Kapazität reicht von 24 GB bis 36 GB in 12-Layer-Stacks, 16-Layer-Versionen folgen später. Dies könnte die Kapazität für Kunden, die dichtere Konfigurationen benötigen, auf 48 GB erhöhen.
Der Stromverbrauch ist ein zentrales Thema, da HBM-Designs die Anzahl der Pins erhöhen und diese Generation von 1.024 auf 2.048 Pins steigt.
Samsung gibt an, die Energieeffizienz im Vergleich zu HBM3E durch Niederspannungs-Through-Silicon-Via-Technologie und Optimierungen bei der Stromverteilung um etwa 40 % verbessert zu haben, zusammen mit thermischen Veränderungen, die die Wärmeableitung und den Widerstand erhöhen.
„Anstatt den herkömmlichen Weg einzuschlagen und bestehende bewährte Designs zu nutzen, hat Samsung den Schritt gewagt und die fortschrittlichsten Knoten wie das 1c-DRAM und den 4-nm-Logikprozess für HBM4 übernommen“, sagte Sang Joon Hwang, EVP und Leiter der Speicherentwicklung bei Samsung Electronics.
„Durch die Nutzung unserer Prozesswettbewerbsfähigkeit und Designoptimierung können wir uns einen erheblichen Leistungsspielraum sichern und so den steigenden Anforderungen unserer Kunden nach höherer Leistung gerecht werden, wenn sie diese benötigen.“
Das Unternehmen nennt außerdem den Produktionsumfang und die eigene Verpackung als Hauptgründe dafür, dass es dem erwarteten Nachfragewachstum gerecht werden kann.
Dazu gehört eine engere Koordination zwischen Foundry- und Speicherteams sowie Partnerschaften mit GPU-Herstellern und Hyperscalern, die maßgeschneiderte KI-Hardware entwickeln.
Samsung geht davon aus, dass sein HBM-Geschäft im Laufe des Jahres 2026 stark wachsen wird, wobei HBM4E-Proben für später im Jahr geplant sind und kundenspezifische HBM-Proben im Jahr 2027 folgen sollen.
Ob Wettbewerber mit ähnlichen Fristen oder schnelleren Alternativen reagieren, wird darüber entscheiden, wie lange dieser frühe Vorsprung anhält.
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